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SI7911DN-T1-E3 VISHAY 트랜스 MOSFET P-CH 20V 4.2A 8핀 PowerPAK 1212 T/R

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SI7911DN-T1-E3 VISHAY 트랜스 MOSFET P-CH 20V 4.2A 8핀 PowerPAK 1212 T/R

큰 이미지 : SI7911DN-T1-E3 VISHAY 트랜스 MOSFET P-CH 20V 4.2A 8핀 PowerPAK 1212 T/R 최고의 가격

제품 상세 정보:

원래 장소:	중국
브랜드 이름:	VISHAY
모델 번호:	SI7911DN-T1-E3

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량:	100
가격:	Pls contact salse for updated price
포장 세부 사항:	1000
배달 시간:	7-15 일
지불 조건:	페이팔, 전신환
공급 능력:	3k

상세 제품 설명

최확수:	SI7911DN-T1-E3	MFR:	비샤이
최대 파워 분해 (mW):	2500	공급자 패키지:	QFN8

제품 기술 사양

EU RoHS

준수

ECCN(미국)

EAR99

부품 상태

구식

자동차

아니

PPAP

아니

제품 카테고리

파워 MOSFET

구성

듀얼 듀얼 드레인

채널 모드

상승

채널 유형

피

칩당 요소 수

최대 드레인 소스 전압(V)

최대 게이트 소스 전압(V)

±8

최대 연속 드레인 전류(A)

4.2

최대 드레인 소스 저항(MOhm)

51@4.5V

일반적인 게이트 전하 @ Vgs(nC)

9.5@4.5V

최대 전력 손실(mW)

2500

일반적인 하강 시간(ns)

일반적인 상승 시간(ns)

일반적인 끄기 지연 시간(ns)

일반적인 켜기 지연 시간(ns)

최소 작동 온도(°C)

-55

최대 작동 온도(°C)

150

포장

테이프 및 릴

공급업체 패키지

파워팩 1212

핀 수

표준 패키지 이름

파워팩 1212

설치

표면 실장

패키지 높이

1.07(최대)

패키지 길이

3.05

패키지 너비

3.05

PCB 변경

리드 모양

납 없음

태그:

TXC 크리스탈 전자 구성품,

KDS 크리스탈 전자 구성품,

수정 전자 구성품 0.032768MHz

연락처 세부 사항

Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

담당자: peter

전화 번호: +8613211027073

회사에 직접 문의 보내기

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마이크로 제어 장치 MCU

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SI7911DN-T1-E3 VISHAY 트랜스 MOSFET P-CH 20V 4.2A 8핀 PowerPAK 1212 T/R

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