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제품 소개플래쉬 메모리 데이터 스토리지

24LC256T-E/SN 플래쉬 메모리 데이터 스토리지 EEPROM I2C 256K 비트 8 핀 SOIC 엔 수입 담보 화물 보관증

24LC256T-E/SN 플래쉬 메모리 데이터 스토리지 EEPROM I2C 256K 비트 8 핀 SOIC 엔 수입 담보 화물 보관증

24LC256T-E/SN Flash Memory Data Storage EEPROM I2C 256K bit 8 Pin SOIC N T/R
24LC256T-E/SN Flash Memory Data Storage EEPROM I2C 256K bit 8 Pin SOIC N T/R

큰 이미지 :  24LC256T-E/SN 플래쉬 메모리 데이터 스토리지 EEPROM I2C 256K 비트 8 핀 SOIC 엔 수입 담보 화물 보관증 최고의 가격

제품 상세 정보:
원래 장소: 태국
브랜드 이름: Microchip
모델 번호: 24LC256T-E/SN
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 패키지 수량
가격: contact sales for updated price
포장 세부 사항: 테이프와 릴
배달 시간: 2주 동안요
지불 조건: 전신환
공급 능력: 1000+
상세 제품 설명
강조하다:

플래쉬 메모리 데이터 스토리지 EEPROM

,

플래쉬 메모리 데이터 스토리지 I2C

,

24lc256t E 스킨

24LC256T-E/SN 마이크로칩 EEPROM Serial-I2C 256K는 32K X 8 3.3V/5V 8-핀 SOIC 엔 수입 담보 화물 보관증을 물었습니다

제품 기술적 요구

EU 로에스 순응합니다
ECCN (우리) EAR99
상태 부분 활동가
자동차 부정
PPAP 부정
칩 집적도 (비트) 256K
조직 32Kx8
프로그램 가능성
데이터 유지 (년) 200(Min)
맥스. 엑세스 시간 (나노 초) 900
최대 작동 주파수 (MHz) 0.4
프로세스 기술 CMOS 프로세스 기술은 회로 소자를 위해 트랜지스터 기술과 최소 트랜지스터 게이트 길이와 연결 금속층에서 상세화되는 집적 회로를 제조하는데 사용된 제조 절차를 설명합니다.
인터페이스 타입 Serial-I2C
최소 작동 공급 전압 (V) 2.5
전형적 작동 공급 전압 (V) 5|3.3
최대 작동 공급 전압 (V) 5.5
프로그래밍 전압 (V) 2.5 5.5에
동작 전류 (mA) 3
최소 동작 온도 ('C) -40
최대 작업 온도 ('C) 85
공급자 온도 그레이드 인더스트리얼
하드웨어 데이터 보호
패키징 테이프와 릴
말 (비트) 당 비트의 숫자 8
핀 수 8
표준 패키지 이름 SOP
공급자 패키지 SOIC 엔
장착 표면 부착
패키지 높이 1.25(Min)
패키지 길이 4.9
패키지 폭 3.9
PCB는 변했습니다 8
리드선 형태 걸-윙

 

 

 

관련된 약속 어음 :  24LC256T-I/SN

연락처 세부 사항
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

담당자: peter

전화 번호: +8613211027073

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