이원적인 GD25LQ64CWIGR 기가데비스와 쿼드 Spi 플래쉬 메모리 133 마하즈

이원적인 GD25LQ64CWIGR 기가데비스와 쿼드 일련의 플래시

• 사업자부 개수 :

  GD25LQ64CWIGR

• 로에스 코드 :

  예

• 수명주기 부호 부분 :

  접촉 제조사

• 패키지 설명 :

  WSON-8

• 순응성 코드에 도달하세요 :

  미지의 것

• ECCN 코드 :

  EAR99

• HTS 코드 :

  8542.32.00.51

• 제조사 :

  기가데비스 반도체 (베이징) Inc

• 위험 등급 :

  5.45

• 클럭 주파수는 (fCLK)를 최대한으로 씁니다 :

  133 마하즈

• JESD-30 코드 :

  R-PDSO-N8

• 길이 :

  6 밀리미터

• 메모리 밀도 :

  67108864개 비트

• 메모리용 IC 타입 :

  플래시

• 메모리 폭 :

  1

• 함수의 수 :

  1

• 단말기 수 :

  8

• 단어수 :

  67108864가지 단어

• 단어수 코드 :

  64000000

• 작동 모드 :

  동시에 일어납니다

• 작동 온도 최대 :

  85 'Ｃ

• 작동 온도 분 :

  -40 'Ｃ

• 조직 :

  64MX1

• 패키지 몸체 물질 :

  플라스틱 / 에폭시

• 패키지 코드 :

  HVSON

• 패키지 모양 :

  직사각형입니다

• 패키지 방식 :

  스몰 아웃라인, 방열 / 강타, 매우 박막 프로필

• 평행한 / 연속물 :

  연속물

• 최대 리플로우 온도 (셀) :

  상세화되지 않습니다

• 프로그래밍 전압 :

  1.8 Ｖ

• 앉은키 최대 :

  0.8 밀리미터

• 공급 전압-최대 (프스업) :

  2 Ｖ

• 공급 전압 분 (프스업) :

  1.65 Ｖ

• 공급 전압 이름 (프스업) :

  1.8 Ｖ

• 표면 부착 :

  예

• 기술 :

  CMOS

• 온도 그레이드 :

  INDUSTRIAL

• 단말기 형태 :

  어떤 리드

• 단자 피치 :

  1.27 밀리미터

• 단자 위치 :

  듀얼

• Time@Peak 리플로우 온도는 (s)를 최대한으로 씁니다 :

  상세화되지 않습니다

• 타이핑하세요 :

  노어형

• 폭 :

  5 밀리미터