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2N7002DW-7-F 엔 Ch Mosfet 트랜스 60V 0.23A 6 핀 SOT-363 수입 담보 화물 보관증

2N7002DW-7-F 엔 Ch Mosfet 트랜스 60V 0.23A 6 핀 SOT-363 수입 담보 화물 보관증

2N7002DW-7-F N Ch Mosfet Trans 60V 0.23A 6 Pin SOT-363 T/R
2N7002DW-7-F N Ch Mosfet Trans 60V 0.23A 6 Pin SOT-363 T/R

큰 이미지 :  2N7002DW-7-F 엔 Ch Mosfet 트랜스 60V 0.23A 6 핀 SOT-363 수입 담보 화물 보관증 최고의 가격

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: DIODES
모델 번호: 2N7002DW-7-F
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 패키지 수량
가격: contact sales for updated price
포장 세부 사항: 테이프와 릴
배달 시간: 2주 동안요
지불 조건: 전신환
공급 능력: 1000+
상세 제품 설명
강조하다:

엔 Ch Mosfet 60V

,

엔 Ch Mosfet 0.23A

,

2N7002DW-7-F 6 핀

2N7002DW-7-F 다이오드 트랜스 MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-핀 SOT-363 수입 담보 화물 보관증

제품 기술적 요구

EU 로에스 순응합니다
ECCN (우리) EAR99
상태 부분 활동가
HTS 8541.21.00.95
자동차 부정
PPAP 부정
상품 카테고리 소신호
구성 듀얼
채널 모드 향상
채널형
칩 당 요소 수 2
최대 드레인 소스 전압 (V) 60
최대 게이트 소스 전압 (V) ±20
최대 게이트 문턱 전압 (V) 2
작동 접합 온도 ('C) -55 내지 150
최대 연속적인 드레인전류 (A) 0.23
최대 게이트 소스 누설 전류 (nA) 10
최대 IDS (uA) 1
최대 드레인 소스 저항 (MOhm) 7500@5V
Vds (pF)에 있는 전형적 입력 커패시턴스 22@25V
Vds (pF)에 있는 전형적 역 환 전기 용량 2@25V
최소 게이트 문턱 전압 (V) 1
전형적 출력 커패시턴스 (pF) 11
최대 파워 분해 (mW) 400
전형적 정지 지연 시간 (나노 초) 11
전형적 켜짐 지연 시간 (나노 초) 7
최소 동작 온도 ('C) -55
최대 작업 온도 ('C) 150
공급자 온도 그레이드 상용
패키징 테이프와 릴
최대 정량 게이트 소스 전압 (V) 20
TC=25' C (A)에 있는 PCB 위의 최대 연속적인 드레인전류 0.23
TC=25' C (W)에 있는 PCB 위의 최대 파워 분해 0.4
TC=25' C (A)에 있는 최대 펄스용 드레인전류 0.8
PCB ('C/W) 위의 최대 결합 주위 온도 저항 318
전형적 다이오드 순방향전압 (V) 0.78
최대 다이오드 순방향전압 (V) 1.5
핀 수 6
표준 패키지 이름 술고래
공급자 패키지 SOT-363
장착 표면 부착
패키지 높이 0.95
패키지 길이 2.15
패키지 폭 1.3
PCB는 변했습니다 6
리드선 형태 걸-윙

연락처 세부 사항
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

담당자: peter

전화 번호: +8613211027073

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