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제품 상세 정보:
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최확수: | BSS308PEH6327XTSA1 | MFR: | 인피네온 |
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범주: | MOSFET | 사이즈: | 1*1.3*2.9mm |
강조하다: | 고전력 MOSFET 30V,고전력 MOSFET 2A,BSS308PEH6327XTSA1 |
EU 로에스 | 순응합니다 |
ECCN (우리) | EAR99 |
상태 부분 | 활동가 |
자동차 | 예 |
PPAP | 미지의 것 |
상품 카테고리 | 소신호 |
구성 | 단일 |
프로세스 기술 | 옵티모스 |
채널 모드 | 향상 |
채널형 | P |
칩 당 요소 수 | 1 |
최대 드레인 소스 전압 (V) | 30 |
최대 게이트 소스 전압 (V) | ±20 |
최대 연속적인 드레인전류 (A) | 2 |
최대 드레인 소스 저항 (MOhm) | 80@10V |
브그스 (nC)에 있는 전형적 게이트전하 | 5@10V |
10V (nC)에 있는 전형적 게이트전하 | 5 |
Vds (pF)에 있는 전형적 입력 커패시턴스 | 376@15V |
최대 파워 분해 (mW) | 500 |
전형적 강하 시간 (나노 초) | 2.8 |
전형적 상승 시간 (나노 초) | 7.7 |
전형적 정지 지연 시간 (나노 초) | 15.3 |
전형적 켜짐 지연 시간 (나노 초) | 5.6 |
최소 동작 온도 ('C) | -55 |
최대 작업 온도 ('C) | 150 |
패키징 | 테이프와 릴 |
공급자 패키지 | SOT-23 |
핀 수 | 3 |
표준 패키지 이름 | SOT-23 |
장착 | 표면 부착 |
패키지 높이 | 1(Max) |
패키지 길이 | 2.9 |
패키지 폭 | 1.3 |
PCB는 변했습니다 | 3 |
리드선 형태 | 걸-윙 |
담당자: peter
전화 번호: +8613211027073