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DMN62D0U-7 다이오드 트랜스 MOSFET 엔 CH 60V 0.38A 3 핀 SOT-23 수입 담보 화물 보관증

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DMN62D0U-7 다이오드 트랜스 MOSFET 엔 CH 60V 0.38A 3 핀 SOT-23 수입 담보 화물 보관증

큰 이미지 : DMN62D0U-7 다이오드 트랜스 MOSFET 엔 CH 60V 0.38A 3 핀 SOT-23 수입 담보 화물 보관증 최고의 가격

제품 상세 정보:

원래 장소:	중국
브랜드 이름:	DIODES
모델 번호:	DMN62D0U-7

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량:	패키지 수량
가격:	contact sales for updated price
포장 세부 사항:	테이프와 릴
배달 시간:	2주 동안요
지불 조건:	전신환
공급 능력:	1000+

상세 제품 설명

강조하다:

트랜스 MOSFET 60V

트랜스 MOSFET 엔 CH

DMN62D0U-7 0.38A

DMN62D0U-7 다이오드 트랜스 MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-핀 SOT-23 수입 담보 화물 보관증

제품 기술적 요구

EU 로에스	순응합니다
ECCN (우리)	EAR99
상태 부분	활동가
자동차	부정
PPAP	부정
상품 카테고리	소신호
구성	단일
채널 모드	향상
채널형	엔
칩 당 요소 수	1
최대 드레인 소스 전압 (V)	60
최대 게이트 소스 전압 (V)	±20
최대 게이트 문턱 전압 (V)	1
작동 접합 온도 ('Ｃ)	-55 내지 150
최대 연속적인 드레인전류 (A)	0.38
최대 게이트 소스 누설 전류 (nA)	10000
최대 IDS (uA)	1
최대 드레인 소스 저항 (MOhm)	2000@4.5V
브그스 (nC)에 있는 전형적 게이트전하	0.5@4.5V
요금 (nC)를 배수하기 위한 전형적 게이트	0.09
소스 전위 (nC)에 대한 전형적 게이츠	0.09
Vds (pF)에 있는 전형적 입력 커패시턴스	32@30V
Vds (pF)에 있는 전형적 역 환 전기 용량	2.4@30V
최소 게이트 문턱 전압 (V)	0.5
전형적 출력 커패시턴스 (pF)	3.9
최대 파워 분해 (mW)	590
전형적 강하 시간 (나노 초)	12.5
전형적 상승 시간 (나노 초)	2.5
전형적 정지 지연 시간 (나노 초)	22.6
전형적 켜짐 지연 시간 (나노 초)	2.4
최소 동작 온도 ('Ｃ)	-55
최대 작업 온도 ('Ｃ)	150
공급자 온도 그레이드	자동차
패키징	테이프와 릴
TC=25' Ｃ (W)에 있는 PCB 위의 최대 파워 분해	0.59
TC=25' Ｃ (A)에 있는 최대 펄스용 드레인전류	1.2
PCB ('C/W) 위의 최대 결합 주위 온도 저항	338
전형적 다이오드 순방향전압 (V)	0.8
전형적 게이트 플래토 전압 (V)	1.8
최대 다이오드 순방향전압 (V)	1.3
최대 정량 게이트 소스 전압 (V)	20
TC=25' Ｃ (A)에 있는 PCB 위의 최대 연속적인 드레인전류	0.38
공급자 패키지	SOT-23
핀 수	3
표준 패키지 이름	술고래
장착	표면 부착
패키지 높이	0.98
패키지 길이	2.9
패키지 폭	1.3
PCB는 변했습니다	3
리드선 형태	걸-윙